[发明专利]三维存储器件的互连结构有效
| 申请号： | 201980001410.9 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110520985B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 朱宏斌;唐娟;徐伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘健;张殿慧 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了3D存储器件和用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括衬底、存储器叠片、沟道结构和狭缝结构。存储器叠片包括在衬底之上的交织的导电层和电介质层。沟道结构垂直延伸穿过存储器叠片。狭缝结构垂直延伸穿过存储器叠片。狭缝结构的上端高于沟道结构的上端。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 互连 结构 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储器件，包括：/n衬底；/n存储器叠片，其包括在所述衬底之上的交织的导电层和电介质层；/n沟道结构，其垂直延伸穿过所述存储器叠片；以及/n狭缝结构，其垂直延伸穿过所述存储器叠片，/n其中，所述狭缝结构的上端高于所述沟道结构的上端。/n
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