[发明专利]显示装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201980001449.0 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN112740421A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李大超;杨盛际;许晨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种显示装置(100)及其制备方法。该显示装置(100)包括衬底基板(600)以及形成在衬底基板(600)上的至少一个像素电路。像素电路包括驱动晶体管(140)、第一晶体管(110)以及第二晶体管(120)；衬底基板(600)包括可掺杂的半导体主体(330)以及位于半导体主体(330)之上的第一导电层(310)以及第二导电层(320)；第一晶体管(110)包括与第一晶体管(110)的第一极(DE1)接触的第一掺杂区(DR1)，与第一晶体管(110)的第二极(SE1)接触的第二掺杂区(SR1)，第一晶体管(110)的第一掺杂区(DR1)与第一晶体管(110)的第二掺杂区(SR1)彼此间隔开、掺杂类型相同且都位于半导体主体(330)中；第一晶体管(110)还包括与第一掺杂区(DR1)接触的漂移掺杂区(DF1)，第一晶体管(110)的漂移掺杂区(DF1)与第一晶体管(110)的第二掺杂区(SR1)彼此间隔开、掺杂类型相同且都位于半导体主体(330)中。该显示装置(100)可以降低或避免被高电压击穿的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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