[发明专利]具有源极结构的三维存储设备和用于形成其的方法有效
| 申请号： | 201980001777.0 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110622310B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 黄攀;徐伟;严萍;徐文祥;霍宗亮;周文斌;夏季 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/417;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 湖北省武汉市东湖开发区关*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提供了用于形成三维(3D)存储设备的结构和方法的实施例。在一示例中，3D存储设备包括在衬底之上的存储叠层、多个沟道结构和源极结构。存储叠层包括交错的多个导体层和多个绝缘层。多个沟道结构在存储叠层中垂直地延伸。源极结构在存储叠层中延伸。源极结构包括多个源极接触部，各源极接触部在各自的绝缘结构中。多个源极接触部中的至少两个源极接触部彼此相接触并且互相导电地连接。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 结构 三维 存储 设备 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)存储设备，包括：/n在衬底之上的存储叠层，所述存储叠层包括交错的多个导体层和多个绝缘层；/n多个沟道结构，其在所述存储叠层中垂直地延伸；以及/n源极结构，其在所述存储叠层中延伸，其中，所述源极结构包括多个源极接触部，各源极接触部在各自的绝缘结构中，并且其中，所述多个源极接触部中的至少两个源极接触部彼此相接触并且互相导电地连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
