[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

公开了三维(3D)存储器器件和制造方法的实施例。在一些实施例中，用于形成3D存储器器件的方法包括在衬底上形成交替电介质堆叠层，以及形成沟道孔，所述沟道孔穿透交替电介质堆叠层并且暴露衬底的至少一部分。该方法还包括形成垂直地穿透交替电介质堆叠层的上部并且横向地延伸的顶部选择栅开口。该方法还包括形成平行于顶部选择栅开口的缝隙开口，其中缝隙开口垂直地穿透交替电介质堆叠层。该方法还包括用交替的导电和电介质层的膜堆叠层替换交替电介质堆叠层，在顶部选择栅开口中形成顶部选择栅切口，以及在缝隙开口中形成缝隙结构。

主权项

1.一种用于形成三维(3D)存储器器件的方法，包括：/n在衬底上形成交替电介质堆叠层；/n形成多个沟道孔，其中，所述多个沟道孔在垂直于所述衬底的方向上垂直地穿透所述交替电介质堆叠层，并且暴露所述衬底的至少一部分；/n形成多个顶部选择栅开口,所述多个顶部选择栅开口垂直地穿透所述交替电介质堆叠层的上部并且在平行于所述衬底的方向上横向地延伸；/n形成与所述多个顶部选择栅开口平行的多个缝隙开口，其中，所述多个缝隙开口垂直地穿透所述交替电介质堆叠层并且暴露所述衬底的至少一部分；/n用交替的导电和电介质层的膜堆叠层替换所述交替电介质堆叠层；/n在所述多个顶部选择栅开口中形成多个顶部选择栅切口；以及/n在所述多个缝隙开口中形成多个缝隙结构。/n