[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201980001984.6 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112997315A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王本莲;徐映嵩;黄炜赟;谭文 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种显示基板及其制备方法、显示装置。该显示基板包括衬底基板(1110)、像素驱动层(1210)、发光器件(1220)、封装层(1170)、第一绝缘层(1140)及覆盖层(1160)。衬底基板(1110)包括显示区及外围区(1120)，外围区(1120)包括第一外围区(1121)和第二外围区(1122)，第一外围区(1121)在显示区(1130)和第二外围区(1122)之间。第一绝缘层(1140)位于第二外围区(1122)，第一绝缘层(1140)在衬底基板(1110)的至少部分边缘的位置具有第一切口(1150)，第一切口(1150)沿衬底基板的边缘延伸，且第一切口(1150)的远离显示区(1130)的一侧边与衬底基板(1110)的边缘(1111)重叠。覆盖层(1160)位于第二外围(1122)区域，覆盖层(1160)至少部分填充在第一切口(1150)中，且覆盖层(1160)在衬底基板(1110)上的正投影与第一切口(1150)在衬底基板(1110)上的正投影至少部分重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
