[发明专利]功率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201980002353.6 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110998861B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 丘树坚;王兆伟 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/165;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香港*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 屏蔽型肖特基异质结功率晶体管由碳化硅(SiC)晶圆制成，该晶圆具有SiC外延层，该外延层包括N+源极和位于栅极下方的硅N外延层，其沟道迁移率比SiC高。晶片的块体是与背面金属接触的N+SiC漏极。沟槽形成在异质结晶体管之间。与N+源极接触的金属延伸到沟槽中，与N‑SiC衬底形成肖特基二极管。沟槽侧面的P+抽头将金属连接到异质结栅极下方的P‑SiC体二极管，并防止肖特基金属直接接触P体二极管。在沟槽肖特基二极管下方和异质结晶体管下方形成带有P+柱帽的掩埋P柱。P柱通过与N衬底平衡电荷来提供屏蔽，充当电介质以减小柱上方的电场。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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