[发明专利]具有低阈值电压和高击穿电压的二极管有效
| 申请号： | 201980002366.3 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110959193B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 张孟文;哈山·奥萨马·埃尔温 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗茜;臧建明 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了实现具有低阈值电压和高击穿电压的二极管(200，300，400)的技术。一些实施例还实现了具有可编程阈值电压的二极管器件(200，400)。例如，实施例可以将本征器件(230)与一个或多个低阈值、二极管连接的器件(220)耦合。该耦合使得低阈值器件(220)提供低阈值电压，同时被本征器件(230)保护免于击穿，有效地表现为高击穿电压。一些实现包括可选分支，通过该可选分支，本征器件(230)与多个低阈值、二极管连接的器件(220)中的任何一个可编程地耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阈值 电压 击穿 二极管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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