[发明专利]三维相变存储器件有效
| 申请号： | 201980002380.3 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110914907B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C5/02;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括平行的下部位线和上部位线、平行的字线、下部存储单元和上部存储单元、与下部位线接触的下部位线触点以及与上部位线接触的上部位线触点。平行的字线处于下部位线和上部位线之间的同一平面中。每条字线垂直于下部位线和上部位线。每个下部存储单元设置在下部位线和相应字线的相交处。每个上部存储单元设置在上部位线和相应字线的相交处。每个下部或上部存储单元包括堆叠的相变存储器(PCM)元件、选择器和电极。下部位线触点和上部位线触点的至少其中之一在平面图中被内含式地设置在下部存储单元和上部存储单元之间。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 相变 存储 器件 | ||
【主权项】：
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