[发明专利]用于形成三维相变存储器件的方法

摘要

公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。形成下部位线触点和与下部位线触点发生接触的下部位线。在下部位线上方形成与之接触的下部存储单元。每个下部存储单元包括堆叠的相变存储器(PCM)元件、选择器和电极。在下部存储单元上方的同一平面中形成与之接触的平行字线。每条字线与下部位线垂直。在字线上方形成与之接触的上部存储单元。每个上部存储单元包括堆叠的PCM元件、选择器和电极。在上部存储单元上方形成与之接触的上部位线。上部位线与每条字线垂直。在上部位线上方形成与之接触的上部位线触点。下部位线触点和上部位线触点的至少其中之一在平面图中被内含式地设置于下部存储单元和上部存储单元之间。