[发明专利]半导体器件及其制作方法

摘要

本公开的各方面提供了一种半导体器件以及一种制造半导体器件的方法。在所述半导体器件的衬底之上的堆叠层中形成沟槽，其中，所述堆叠层包括交替的第一层和第二层。所述沟槽具有第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁。分别沿沟槽的第一侧壁和第二侧壁形成沟道材料。通过利用第一电介质结构替换沟道材料的部分而将沟槽进一步划分成多个单元。沟道材料沿第一侧壁和第二侧壁的剩余部分分别形成了第一晶体管串和第二晶体管串的第一沟道结构和第二沟道结构。分别利用第一晶体管串和第二晶体管串的第一栅极结构和第二栅极结构替换所述第二层。第一晶体管串和第二晶体管串中的每者在衬底之上垂直堆叠。