[发明专利]具有可编程逻辑器件和NAND闪存的键合半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201980002593.6 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110870062A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 程卫华;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L27/11;H01L27/11524;H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件及其制造方法的实施例。在示例中，半导体器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括可编程逻辑器件、静态随机存取存储器(SRAM)单元的阵列、以及包括多个第一键合接触部的第一键合层。半导体器件还包括第二半导体结构，所述第二半导体结构包括NAND存储器单元的阵列、以及包括多个第二键合接触部的第二键合层。所述半导体器件还包括所述第一键合层和所述第二键合层之间的键合界面。所述第一键合接触部在所述键合界面处与所述第二键合接触部接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 可编程 逻辑 器件 nand 闪存 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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