[发明专利]一种光阻剥离液的隔离结构、TFT阵列及其制备方法在审
申请号: | 201980002741.4 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110998848A | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 李刘中;林子平 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种光阻剥离液的隔离结构、TFT阵列及其制备方法,所述隔离结构包括:保护层、设置在所述保护层上的硬化层;所述硬化层采用气体进行等离子轰击所述保护层而成,并用于隔离所述光阻剥离液。通过在有机保护层等保护层表面形成一层硬化层,硬化层可以防止后续工序中的化学试剂,如光阻剥离液,进入到保护层中,从而达到将光阻剥离液隔离在保护层外的目的,保护了保护层。 | ||
搜索关键词: | 一种 剥离 隔离 结构 tft 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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