[发明专利]一种混合键合结构以及混合键合方法在审
| 申请号： | 201980003420.6 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN112236849A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 赫然;焦慧芳;代郁峰;杨广林;何志宏;谢荣华 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L23/488 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种混合键合结构及混合键合方法，该混合键合结构包括：第一芯片(10)和第二芯片(20)，第一芯片(10)的表面包括第一绝缘介质(11)和第一金属(12)，第一金属(12)和第一绝缘介质(11)之间具有第一空隙区域(13)；第二芯片(20)的表面包括第二绝缘介质(21)和第二金属(22)；第一金属(12)的表面高于第一绝缘介质(11)的表面；第一金属(22)和第二金属(22)接触后形成金属键合，在第一空隙区域(13)内，第一金属(12)发生纵向和横向的形变；第一绝缘介质(11)和第二绝缘介质(21)接触后形成绝缘介质键合。通过设置第一空隙区域(13)，保证第一金属(12)可以同时发生纵向和横向的形变，可以避免出现金属键合缺陷和介质键合缺陷，提高量产良率和器件的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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