[发明专利]用于二次电池的硅基负极材料及其制备方法,二次电池有效
申请号: | 201980003453.0 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111164803B | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 吴玉虎;马飞;刘冬冬;魏良勤;吴志红;丁晓阳;李凤凤 | 申请(专利权)人: | 上海杉杉科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 刘荣娟 |
地址: | 201209 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本申请提供用于二次电池的硅基负极材料及其制备方法以及二次电池,所述用于二次电池的硅基负极材料包括:内核,所述内核包括Si粒子和硅氧化物SiOx |
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搜索关键词: | 用于 二次 电池 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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