[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980003476.1 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110914999A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具备设置有漂移区、发射区、基区、蓄积区和沟槽部的半导体基板，在半导体基板的深度方向上的蓄积区的掺杂浓度分布具有掺杂浓度为最大值的最大部、在从最大部朝向基区的至少一部分区域倾斜地减小的上侧倾斜部、以及在从最大部朝向漂移区的至少一部分区域倾斜地减小的下侧倾斜部，在将针对与半导体基板的材料和蓄积区所包含的杂质的种类对应的射程‑半峰全宽特性，通过将最大部的深度位置设为注入杂质时的射程从而确定的半峰全宽设为标准半峰全宽的情况下，蓄积区的掺杂浓度分布的半峰全宽为标准半峰全宽的2.2倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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