[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法、ECR高度监视器有效
| 申请号： | 201980003567.5 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111902916B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 池田纪彦;安井尚辉;山田一也 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种等离子体处理装置，具备：处理室(101)，使用等离子体(111)对晶片(114)进行处理；高频电源(106)，供给用于生成等离子体(111)的高频电力；机构，使用于形成ECR的磁场形成，并且控制该磁通密度；以及样品台(113)，载置晶片(114)。上述等离子体处理装置还具备：控制部(107)，根据等离子体(111)的图像数据，监视通过上述高频电力和上述磁场的相互作用而产生的电子回旋谐振即ECR的高度，控制上述高频电力的频率，使得监视的上述ECR的高度成为给定的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 以及 方法 ecr 高度 监视器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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