[发明专利]发光二极管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201980003933.7 申请日: 2019-03-01
公开(公告)号: CN110998872A 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 王庆;陈大钟;许圣贤;洪灵愿;彭康伟;林素慧;张家宏 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10;H01L33/20;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种发光二极管及制备方法,该发光二极管包括:衬底,具有相对的上、下表面;DBR反射层,形成于所述衬底的上表面之上;半导体叠层,形成于所述DBR反射层之上,发射具有的第一波长的光;所述DBR反射层对于第一光波的反射率为30%以下;对于不同于第一光波的波长的第二光波的反射率为60%以上,所述第一光波为所述发光二极管发射,所述第二光波非所述发光二极管发射。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
暂无信息
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