[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法有效
| 申请号： | 201980004037.2 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN111051566B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 芦小丽;新田纯一;中村晃;佐藤美穂 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/10;C22F1/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种进一步提高溅射效率的溅射靶以及溅射靶的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个实施方式的溅射靶，具有溅射面，其是纯度为99.95wt％以上的钴靶。与沿着所述溅射面的密排六方晶格结构的(100)面、(002)面、(101)面、(102)面、(110)面、(103)面、(112)面以及(004)面相应的X射线衍射峰的强度比(I |
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| 搜索关键词： | 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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