[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980004052.7 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN111052357A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 伊藤太一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 抑制连接端子被加热而抑制可靠性降低。配置有半导体元件(12)的主陶瓷电路基板(11)与配置有连接端子(22、32)的副陶瓷电路基板(21、31)分离地独立。因此，在半导体元件(12)产生的热介由下部的主陶瓷电路基板(11)和基板(40)之后，进一步介由副陶瓷电路基板(21、31)而向连接端子(22、32)传导。即，与连接端子(22、32)和半导体元件(12)配置于同一陶瓷电路基板的情况相比，来自半导体元件(12)的热不易被传导。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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