[发明专利]一种半导体发光元件及发光装置有效
| 申请号： | 201980004732.9 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN111164767B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 张东炎;吴俊毅;刘文;王晶;郭桓邵;李慧文;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件，包括：半导体发光序列，半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；电绝缘层覆盖第二导电类型半导体层一侧部分区域形成电绝缘区域，第二导电类型半导体层一侧未被覆盖的部分区域为电接触区域，第二导电类型半导体层中包括含氟区域。其中电绝缘层为氟化物，氟化物的氟离子通过高温扩散进入第二导电类型半导体层中形成含氟区域，含氟区域至少形成在第一电极的主焊盘电极下方的第二导电类型半导体层中，能够提高局部方块电阻，改善在第一电极的主焊盘电极下方的第二导电类型半导体层中的电流分散情况，促进电流向远离第一电极的主焊盘电极的周围区域横向扩散，从而提高光均匀分散性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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