[发明专利]通过角度蚀刻工具中的基板旋转而控制蚀刻角度在审
| 申请号： | 201980005019.6 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111201589A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;摩根·埃文斯;约瑟夫·C·奥尔森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本文描述的具体实施方式，涉及在基板上形成具有不同倾斜角的光栅的方法，以及使用角度蚀刻系统在循序基板上形成具有不同倾斜角的光栅的方法。方法包括将保持在平台上的基板的部分定位在离子束的路径中。基板上设置有光栅材料。离子束经配置以相对于基板的表面法线的离子束角θ接触光栅材料，并在光栅材料中形成光栅。基板围绕平台的轴线旋转，以在离子束与光栅的表面法线之间产生旋转角φ。光栅相对于基板的表面法线具有倾斜角θ'。由方程式φ＝cos |
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| 搜索关键词： | 通过 角度 蚀刻 工具 中的 旋转 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
