[发明专利]包含多层级漏极选择栅极隔离的三维存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201980005833.8 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111373534B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 西川昌利;S.矢田;张艳丽 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B43/20;H10B41/41;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种三维存储器装置包含位于衬底上方的绝缘层与字线层级导电层的交替堆叠，和位于所述交替堆叠上方的漏极选择层级导电层。存储器堆叠结构延伸穿过所述交替堆叠和所述漏极选择层级导电层。包含相应一对笔直侧壁的电介质分隔物结构，和包含相应一对侧壁的漏极选择层级隔离结构将所述漏极选择层级导电层划分成多个条带，所述隔离结构的相应一对侧壁包含相应一组凹入竖直侧壁分段。所述漏极选择层级导电层和所述漏极选择层级隔离结构是通过用导电材料替换漏极选择层级牺牲材料层，和通过用电介质材料部分替换漏极选择层级牺牲线型结构而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 多层 级漏极 选择 栅极 隔离 三维 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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