[发明专利]具有高迁移率通道的三维平坦NAND存储器装置及其制造方法

摘要

一种三维存储器装置包含通过线型沟槽横向隔开的绝缘条带和导电条带的交替堆叠，以及位于所述线型沟槽中的存储器堆叠组合件和电介质柱结构的交替二维阵列。所述线型沟槽中的每一个填充有存储器堆叠组合件和电介质柱结构的相应横向交替序列。每一存储器堆叠组合件包含竖直半导体通道和一对存储器膜。所述竖直半导体通道包含具有大晶粒的半导体通道层，所述大晶粒可通过从下伏于所述交替堆叠的半导体衬底中的晶种半导体材料层、牺牲半导体材料层或单晶半导体材料进行的选择性半导体生长来提供。