[发明专利]半导体装置及制造方法有效
| 申请号： | 201980005950.4 | 申请日： | 2019-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN111418068B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 能够抑制半导体装置的短沟道效应。提供一种半导体装置，其中，与栅极沟槽部接触的至少一个台面部具有：被设置成在半导体基板的上表面露出并且与栅极沟槽部接触，且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的发射区；设置于发射区的下方且被设置成与栅极沟槽部接触的第二导电型的基区；设置于基区的下方且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的蓄积区；以及设置于基区的上端与蓄积区的下端之间的深度位置的第二导电型的中间区域，基区在半导体基板的深度方向的掺杂浓度分布中具有第一峰，中间区域在深度方向的掺杂浓度分布中从第一峰到沟槽部的下端的深度位置为止的部位具有第二峰和弯折部中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980005950.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
