[发明专利]包含凹形字线的三维平面NAND存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种三维存储器装置，包含定位于衬底上方且通过竖直波状沟槽彼此横向间隔开的绝缘带与导电带的交替堆叠。所述竖直波状沟槽在所述导电带的层级处比在所述绝缘带的层级处具有更大横向范围。存储器堆叠组合件与介电柱结构的交错二维阵列定位于所述竖直波状沟槽中。每一存储器堆叠组合件包含竖直半导体沟道和包含相应对凸形外部侧壁的一对存储器膜，所述相应对凸形外部侧壁接触所述导电带的凹形侧壁或通过均一距离与所述导电带的凹形侧壁隔开。所述竖直半导体沟道的横向突出顶端处的局部电场由于由所述导电带的所述凹形侧壁提供的几何效果而增强以有助于更快的编程和擦除操作。