[发明专利]具有电介质支撑柱的多层三维存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201980006609.0 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111684596B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 大津义孝;野泽庆;藤田野手子;北条直人;田中吉伸;伊藤广一 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/50;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/50;H10B41/35;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多层三维存储器阵列包含竖直堆叠的绝缘层和导电层的多个交替堆叠。包含存储器膜和半导体通道的存储器堆叠结构延伸穿过所述交替堆叠。所述交替堆叠形成为绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠，且随后通过用导电层替换所述牺牲材料层来修改。用所述导电层替换所述牺牲材料层期间的结构支撑由所述存储器堆叠结构和电介质支撑柱结构提供。所述电介质支撑柱结构可仅针对包含第一绝缘层和第一间隔物材料层的第一层交替堆叠的第一层结构形成，或可在多个层上方竖直地延伸。可在所述交替堆叠中形成阶梯式表面之前或之后形成所述电介质支撑柱结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电介质 支撑 多层 三维 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司，未经桑迪士克科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980006609.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有多堆叠接合结构的三维存储器器件及其制造方法
- 下一篇：蒸镀装置
