[发明专利]取向性磷灰石型氧化物离子导体及其制造方法有效
| 申请号： | 201980006912.0 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111527567B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 井手慎吾;城勇介 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | H01M8/1246 | 分类号： | H01M8/1246;H01M8/126;H01B1/06;H01B1/08;H01B13/00;C04B35/50;C04B35/16;G01N27/409;G01N27/41;G01N23/207;G01N23/2055 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的取向性磷灰石型氧化物离子导体由复合氧化物形成，所述复合氧化物以A |
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| 搜索关键词： | 向性 磷灰石 氧化物 离子 导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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