[发明专利]磁性存储器及其磁化切换方法有效

专利信息
申请号: 201980007054.1 申请日: 2019-01-22
公开(公告)号: CN111527546B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 李炅珍;高京椿;李升宰 申请(专利权)人: 高丽大学校产学协力团
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;臧建明
地址: 韩国首尔市城北区安岩*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开一种磁性存储器及其磁化切换方法。根据本发明一个实施例的一种磁性存储器包括:磁性隧道结,包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的隧道势垒层;第一导电线,与自由层相邻地设置;以及第二导电线,与自由层相邻地设置且与第一导电线交叉。一种磁性存储器的磁化切换方法包括以下步骤:对第一导电线施加具有第一频率的交流型第一电流;以及对第二导电线施加具有第一频率的交流型第二电流。自由层使用交流型第一电流及交流型第二电流执行磁化反转,且磁性隧道结设置在第一导电线与第二导电线之间的交叉点上。
搜索关键词: 磁性 存储器 及其 磁化 切换 方法
【主权项】:
暂无信息
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