[发明专利]使用了水亲和性高的研磨粒子的研磨用组合物有效
| 申请号： | 201980007214.2 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111587473B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 三井滋;西村透;石水英一郎 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/04;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李渊茹;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供用于器件晶片的CMP研磨而能够实现高的研磨速度和抑制缺陷产生的研磨用组合物。解决手段是一种研磨用组合物，是包含二氧化硅粒子的研磨用组合物，该二氧化硅粒子的Rsp是基于胶体状二氧化硅分散液测得的，该分散液的脉冲NMR的测定值Rsp＝(Rav‑Rb)/(Rb)为0.15～0.7，并且该二氧化硅粒子的形状系数SF1＝(以粒子的最大径作为直径的圆的面积)/(投影面积)为1.20～1.80。Rsp为表示水亲和性的指标，Rav为胶体状二氧化硅分散液的弛豫时间的倒数，Rb为在胶体状二氧化硅分散液中除去二氧化硅粒子后的空白水溶液的弛豫时间的倒数。胶体状二氧化硅分散液的通过动态光散射法测得的平均粒径为40～200nm，该分散液中的二氧化硅粒子的通过氮气吸附法测得的平均一次粒径为10～80nm。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 亲和性 研磨 粒子 组合 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
