[发明专利]具有一个或多个过孔的微流体芯片有效
| 申请号： | 201980007753.6 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111566801B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | J·史密斯;W·F·兰德斯;K·温斯特尔;T·J·吴 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 姚杰 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了可以包括薄衬底和/或高密度过孔的微流体芯片。一种装置，包括：包括多个过孔的硅器件层，所述多个过孔包括每平方厘米的硅器件层的表面上大于或等于约100个过孔以及每平方厘米的硅器件层的表面上小于或等于约100,000个过孔，并且所述多个过孔延伸穿过所述硅器件层；以及接合到硅器件层的密封层，其中所述密封层具有比硅器件层更大的刚度。在一些实施例中，所述硅器件层具有在约7微米和约500微米之间的厚度，而多个过孔中的一个过孔具有在约5微米和约5毫米之间的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 一个 流体 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
