[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 201980008044.X | 申请日: | 2019-01-09 |
公开(公告)号: | CN111566782A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 菅川贤治;大森阳介 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B23K20/00;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 基板处理装置具备:保持部,其在用于吸附基板的吸附面具有圆状的第1区域和配置在所述第1区域的径向外侧的圆环状的第2区域,来作为用于吸附所述基板的吸附压力被单独地控制的多个区域;吸附压力产生部,其具有多个,多个所述吸附压力产生部使构成所述吸附面的多个区域中的每个区域单独地产生吸附压力;吸附压力调整部,其具有多个,多个所述吸附压力调整部对由多个所述吸附压力产生部中的每个所述吸附压力产生部产生的吸附压力单独地调整;以及控制部,其控制多个所述吸附压力产生部和多个所述吸附压力调整部,所述控制部使所述第1区域的至少局部和所述第2区域的至少局部产生不同的所述吸附压力。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造