[发明专利]基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质在审
| 申请号： | 201980008874.2 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN111630636A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 川渕洋介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;F26B3/24;F26B3/28;F26B21/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够防止图案倒塌并行使充满在形成于基片的图案的凹部中的升华性物质升华的基片干燥装置、基片干燥方法和存储介质。第1单元包括：溶液供给部，其将含有升华性物质和溶剂的升华性物质溶液供给到处理面(Wa)；和第1液除去部，其从被供给了升华性物质溶液的处理面(Wa)上除去溶剂和处理液，在处理面(Wa)上形成升华性物质的固体膜(SS)。第2单元包括：第2液除去部(61、62、63)，其对形成有固体膜(SS)的基片(W)进行加热，将基片(W)维持在比升华性物质的升华温度低的第1温度范围内的温度，由此使残存在固体膜(SS)内的溶剂和处理液70气化；和固体膜除去部(61、62、63)，其将基片(W)加热至升华温度以上的第2温度范围内的温度，由此将固体膜(SS)从处理面(Wa)上除去。 | ||
| 搜索关键词： | 干燥 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
