[发明专利]用于氮化硅薄膜的处理方法在审
| 申请号： | 201980010113.0 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111684566A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 郭津睿;梁璟梅;P·P·杰哈;T·阿肖克;T-J·龚 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本文的实施例提供使用可流动化学气相沉积(FCVD)工艺沉积的氮化硅层的基于自由基的处理。该FCVD沉积的氮化硅层的基于自由基的处理期望地增加层中稳定的Si‑N键的数目，从该层移除不期望的氢杂质，且期望地提供所得的氮化硅层中的进一步交联、致密化、及氮化(氮的并入)。在一个实施例中，形成氮化硅层的方法包括：将基板定位在基板支撑件上，该基板支撑件设置在处理腔室的处理容积中；以及处理沉积在该基板上的氮化硅层。处理该氮化硅层包括：使第一气体的一种或多种自由基物质流动，该第一气体包括NH |
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| 搜索关键词： | 用于 氮化 薄膜 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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