[发明专利]集成电路、DRAM电路和用于形成集成电路的方法有效
| 申请号： | 201980010847.9 | 申请日： | 2019-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN111684593B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李时雨 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L23/00;H01L23/522;H01L27/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 集成电路包含埋在衬底的半导体材料内的第一导电线。第一导电线包含在垂直截面中位于金属材料正上方并直接抵靠金属材料的导电掺杂的半导体材料。第二导电线位于半导电材料上方，并且在垂直截面中与第一导电线横向间隔开。第二导电线在垂直截面中包含金属材料。绝缘材料位于第一导电线和第二导电线正上方。第一导电通孔延伸穿过绝缘材料并穿过导电掺杂的半导体材料到第一导电线的金属材料。第二导电通孔延伸穿过绝缘材料到第二导电线的金属材料。公开了包括方法的其他实施例和方面。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 dram 电路 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980010847.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
