[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201980011535.X | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111684608B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 大河亮介;今井俊和;吉田一磨;井上翼;今村武司 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1)具有在平面视图中在矩形状的半导体层(40)的第一区域(A1)中形成的晶体管(10)和在第二区域(A2)中形成的晶体管(20)，在半导体层(40)的表面具有第一源极焊盘(111)、第一栅极焊盘(119)、第二源极焊盘(121)以及第二栅极焊盘(129)，在平面视图中，晶体管(10)和晶体管(20)在第一方向上排列，第一栅极焊盘(119)配置为，在与半导体层(40)的第一方向的一方的长边或另一方的长边之间、以及与第一区域(A1)和第二区域(A2)的边界之间，完全没有夹着第一源极焊盘(111)，第二栅极焊盘(129)配置为，在与一方的长边或另一方的长边之间、以及与边界之间，完全没有夹着第二源极焊盘(121)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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