[发明专利]清洁腔室的装置和方法在审
| 申请号： | 201980011999.0 | 申请日： | 2019-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN111684568A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李东奂;金宰湖;金显镒;尹豪振;李栽玩;林秉宽 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 房岭梅;姚鹏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于用于清洁腔室的一种装置和方法，尤其是关于用于清洁腔室的装置和方法，其中此装置和方法能够在薄膜沉积于基板时清洁被污染的腔室。根据示例性实施例的腔室清洁方法为一种用于清洁沉积氧化锌的腔室的方法，此方法包含：供应含氯气体和含氢气体到腔室中；使独立供应的气体于腔室中活化并互相反应以产生反应气体；以及使用反应气体第一次清洁腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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