[发明专利]用于量子应用的高导热率基底上的微波衰减器在审
申请号: | 201980012370.8 | 申请日: | 2019-01-25 |
公开(公告)号: | CN111699587A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | S·B·奥利瓦德斯;P·古曼;J·嘉姆贝塔;J·晁 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01P5/02 | 分类号: | H01P5/02;H05K1/00;H05K3/00 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 马景辉 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了与用于量子应用的微波衰减器或高导热率基底有关的技术。设备可以包括提供大于限定的导热率水平的导热率水平的基底。所述设备还可以在所述基底的顶表面上包括一条或多条薄膜线,所述薄膜线包括蒸发的合金。此外,所述设备可在所述基底中包括一个或多个通孔。所述一个或多个通孔的各自的第一端可以连接到相应的薄膜连接器。此外,所述一个或多个通孔的各个第二端可以连接到电接地。 | ||
搜索关键词: | 用于 量子 应用 导热 基底 微波 衰减器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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