[发明专利]用于量子应用的高导热率基底上的微波衰减器在审

专利信息
申请号: 201980012370.8 申请日: 2019-01-25
公开(公告)号: CN111699587A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: S·B·奥利瓦德斯;P·古曼;J·嘉姆贝塔;J·晁 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01P5/02 分类号: H01P5/02;H05K1/00;H05K3/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 马景辉
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了与用于量子应用的微波衰减器或高导热率基底有关的技术。设备可以包括提供大于限定的导热率水平的导热率水平的基底。所述设备还可以在所述基底的顶表面上包括一条或多条薄膜线,所述薄膜线包括蒸发的合金。此外,所述设备可在所述基底中包括一个或多个通孔。所述一个或多个通孔的各自的第一端可以连接到相应的薄膜连接器。此外,所述一个或多个通孔的各个第二端可以连接到电接地。
搜索关键词: 用于 量子 应用 导热 基底 微波 衰减器
【主权项】:
暂无信息
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