[发明专利]用于制造顶栅底接触有机场效应晶体管的图案化方法

摘要

本发明涉及一种在基板上制造顶栅底接触有机场效应晶体管的方法，所述有机场效应晶体管包括：源极和漏极、半导体层、固化的第一介电层及栅极；所述方法包括：i)步骤，涂布包含有机半导体材料的组合物以形成半导体层；ⅱ)步骤，涂布包含第一介电材料及至少具有两个叠氮基团的交联剂的组合物以形成第一介电层；ⅲ)步骤，通过光处理固化第一介电层的一部分；ⅳ)步骤，去除第一介电层的未固化的部分；及ⅴ)步骤，去除未被固化的第一介电层覆盖的半导体层的部分；其中，所述第一介电材料包含由至少一个聚合物嵌段A及至少两个聚合物嵌段B构成的星形聚合物，所述各个聚合物嵌段B连接于聚合物嵌段A；所述聚合物嵌段B的重复单元的60mol％以上从由及组成的群组中选择；所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8分别独立，并且是H或者C1‑10‑烷基。