[发明专利]半导体晶圆在审
| 申请号： | 201980012502.7 | 申请日： | 2019-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN111699287A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 山本大贵;池尻圭太郎 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/18;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
作为一个实施方式，提供一种半导体晶圆(1)，其具备：以Si作为主要成分的基板(10)，在基板(10)上形成的、以AlN层(11a)作为最下层的缓冲层(11)，以及在缓冲层11上形成的、包含Ga的氮化物半导体层12，AlN层(11a)的上表面的凹坑密度大于0且小于2.4×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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