[发明专利]拒水性保护膜形成用化学溶液、其制备方法和表面处理体的制造方法在审
| 申请号： | 201980012863.1 | 申请日： | 2019-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111742391A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 奥村雄三;近藤克哉;山田周平;两川敦;福井由季 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C07F7/02;C07F7/12;C09K3/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种包含具有各种碱度的新催化成分的新型拒水性保护膜形成用化学溶液及其制备方法、以及使用该化学溶液的表面处理体的制造方法。本发明的拒水性保护膜形成用化学溶液是用于在晶片的表面形成拒水性保护膜的拒水性保护膜形成用化学溶液，所述晶片的该表面包含硅元素，所述拒水性保护膜形成用化学溶液包含：(I)甲硅烷基化剂、(II)下述通式[1]和[2]所示的化合物之中的至少1种含氮化合物、以及(III)有机溶剂。[式[1]、[2]中，R |
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| 搜索关键词： | 水性 保护膜 形成 化学 溶液 制备 方法 表面 处理 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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