[发明专利]浓度测定方法及浓度测定装置在审
| 申请号： | 201980013216.2 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111727495A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 中村共则 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/3581 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种测量杂质浓度的浓度测定方法，其具备如下步骤：朝向作为测定对象物的DUT(10)，照射测量光及以包含既定频率的调制信号进行强度调制所得的刺激光；检测来自DUT(10)的反射光或透过光的强度并输出检测信号；及检测相对于调制信号的检测信号的相位延迟，求出相位延迟成为特定值的频率，并基于该频率推定测定对象物的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 浓度 测定 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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