[发明专利]能量纯度模块、离子植入系统及减少其中粒子的方法有效
| 申请号： | 201980013322.0 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111742388B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 常胜武;法兰克·辛克莱;亚历山大·利坎斯奇;克里斯多夫·坎贝尔;罗伯特·C·林德柏格 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/147 | 分类号： | H01J37/147;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种能量纯度模块、离子植入系统及减少其中粒子的方法。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束光学器件中的每一者递送电压及电流的电气系统。 | ||
| 搜索关键词： | 能量 纯度 模块 离子 植入 系统 减少 其中 粒子 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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