[发明专利]双向晶闸管器件在审
| 申请号： | 201980013388.X | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111742411A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | J·伏贝基;U·维穆拉帕蒂;M·拉希莫 | 申请（专利权）人： | ABB电网瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/08;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种双向晶闸管装置(100)，其中，半导体晶片按照从第一主侧(102)到第二主侧(104)的顺序包括第一导电类型的第一半导体层(106)、第二导电类型的第二半导体层(108)、第一导电类型的第三半导体层(110)、第二导电类型的第四半导体层(112)以及第一导电类型的第五半导体层(114)。第一主电极(115)形成在第一主侧上(102)并且第二主电极(116)形成在第二主侧(104)上。第一发射极短路部(128)穿透第一半导体层(106)，以将第一主电极(115)与第二半导体层(108)电连接，并且第二发射极短路部(138)穿透第五半导体层(114)，以将第二主电极(116)与第四半导体层(112)电连接。在平行于第一主侧(102)的平面上的正交投影中，由第一半导体层(106)和第一发射极短路部(128)占据的第一区与由第五半导体层(114)和第二发射极短路(138)占据的第二区在重叠区中重叠，其中，第一发射极短路部(128)和第二发射极短路部(138)位于重叠区内。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 晶闸管 器件 | ||
【主权项】：
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