[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201980013505.2 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111727508B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 三岛良太;中野邦裕;口山崇 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L21/306;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苏琳琳;闫月 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括以下各个工序：在包括被选择性地除去的p型半导体层(13p)和剥离层(LF)的晶体基板(11)的一主面上，形成n型半导体层(13n)的工序；通过除去剥离层(LF)，除去覆盖剥离层(LF)的n型半导体层(13n)的工序；以及分别在p型半导体层(13p)和n型半导体层(13n)上，形成透明电极层(17)的工序。在除去剥离层(LF)的工序中，除去剥离层(LF)，且保证在n型半导体层(13n)被除去的状态下，p型半导体层(13p)的一部分被剥离层(LF)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
