[发明专利]石墨烯和氮化硼异质结构器件在半导体层上的集成在审
| 申请号： | 201980014329.4 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111801780A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | A·维诺戈帕;L·哥伦布;A·波利 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/328 | 分类号： | H01L21/328;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微电子器件(100)，其包括在半导体材料(106)上方的栅控石墨烯组件(102)。栅控石墨烯组件(102)包括具有至少一层石墨烯的石墨层(126)。石墨层(126)具有沟道区(128)。第一连接(134)和第二连接(136)电连接到与沟道区(128)相邻的石墨层(126)。石墨层(126)与半导体材料(106)隔离。具有第一导电类型的背栅区(142)设置在沟道区(128)下方的半导体材料(106)中。第一接触场区(144)和第二接触场区(146)分别设置在第一连接(134)和第二连接(136)下方的半导体材料(106)中。第一接触场区(144)和第二接触场区(146)中的至少一个具有相反的第二导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 氮化 硼异质 结构 器件 半导体 集成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
