[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980014864.X | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111742414A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;栃林克明;方堂凉太 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;李志强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体的顶面、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；第三绝缘体上的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体上的第六绝缘体，其中第六绝缘体与第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体各自的顶面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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