[发明专利]开关元件、存储装置和存储器系统在审
申请号: | 201980015640.0 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN111771274A | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 清宏彰;大场和博;保田周一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L21/8239 | 分类号: | H01L21/8239;H01L27/10;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本公开的一个实施例的开关元件设置有:第一电极;第二电极,被布置为面对所述第一电极;和开关层,布置在所述第一电极和所述第二电极之间,并且包含选择硒(Se)、锗(Ge)和硅(Si)中的至少一种元素,同时包含硼(B)、碳(C)、镓(Ga)和砷(As)。 | ||
搜索关键词: | 开关 元件 存储 装置 存储器 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造