[发明专利]硅熔液的对流模式控制方法及单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201980015950.2 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN112074626B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 松岛直辉;横山龙介;坂本英城;杉村涉 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种硅熔液的对流模式控制方法，其具备：对旋转中的石英坩埚内的硅熔液施加0.2T以上的水平磁场的工序，通过以使中心磁力线通过从石英坩埚的中心轴朝向水平方向偏离10mm以上的位置的方式施加水平磁场，固定硅熔液内的与水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向。 | ||
| 搜索关键词： | 硅熔液 对流 模式 控制 方法 单晶硅 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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