[发明专利]硅熔液的对流图案控制方法、单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置有效
| 申请号： | 201980015987.5 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111918987B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 坂本英城;杉村涉;横山龙介;松岛直辉 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种对流图案控制方法，其具备使用加热部（17）加热石英坩埚（3A）内的硅熔液（9）的工序以及对旋转中的石英坩埚（3A）内的硅熔液（9）施加水平磁场的工序，在加热硅熔液（9）的工序中，使用两侧的加热能力不同的加热部（17）进行加热，所述两侧在从铅垂上方观察石英坩埚（3A）时，夹住通过石英坩埚（3A）的中心轴（3C）且与水平磁场中心的磁力线（14C）平行的假想线（9C），在施加水平磁场的工序中，通过施加0.2T以上的水平磁场，将与硅熔液（9）内的水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向固定为一方向。 | ||
| 搜索关键词： | 硅熔液 对流 图案 控制 方法 单晶硅 制造 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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