[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980016079.8 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111788698A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;栃林克明;方堂凉太;菅谷健太郎;山出直人 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种可靠性良好的半导体装置。一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一绝缘体；第二绝缘体；第一氧化物；第二氧化物；第三氧化物；第一导电体及第二导电体；第三绝缘体；第三导电体；第四绝缘体；以及第五绝缘体。第四绝缘体及第五绝缘体中设置有到达第二氧化物的开口，以嵌入开口的方式从开口的内壁一侧依次设置有第三氧化物、第三绝缘体和第三导电体。在晶体管的沟道长度方向上，第四绝缘体与第二氧化物不重叠的区域的第四绝缘体的至少一部分与第一绝缘体接触。在晶体管的沟道宽度方向上，第三氧化物与第二氧化物不重叠的区域的第三氧化物的至少一部分与第一绝缘体接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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